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Method of etching and etching apparatus
摘要
A thin film formed on a substrate is etched, without generating a plasma, with an etching gas containing a beta-diketone and a gas containing water and/or alcohol, thereby exposing a surface of the substrate.
申请公布号
US2005142885(A1)
申请公布日期
2005.06.30
申请号
US20050066268
申请日期
2005.02.28
申请人
TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人
SHINRIKI HIROSHI
分类号
H01L21/00;H01L21/311;(IPC1-7):B08B3/00;H01L21/476;H01L21/302;H01L21/461
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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