发明名称 Leistungshalbleitermodul und Verfahren seiner Herstellung
摘要 Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Modul besteht aus einem Substrat (300) mit hierauf schaltungsgerecht angeordneten Leiterbahnen (310) und auf diesen Leiterbahnen (310) angeordneten Leistungshalbleiterbauelementen (202, 204). Weiterhin sind auf den Leiterbahnen (310) Distanzelemente (206) angeordnete sowie ein Folienverbund (100) aus zwei metallischen Folienschichten (110, 130) mit einer dazwischen angeordneten elektrisch isolierenden Folienschicht (120). Der Folienverbund (100) weist Kontaktnoppen (140) und Durchkontaktierungen (122) auf. Mindestens eine der metallischen Folienschichten (110, 130) ist schaltungsgerecht strukturiert (112, 132), und dieser Folienverbund (100) ist mit den Leistungshalbleiterbauelementen (202, 204) und den Distanzelementen (206) mittels Ultraschallschweißen dauerhaft verbunden.
申请公布号 DE10355925(A1) 申请公布日期 2005.06.30
申请号 DE2003155925 申请日期 2003.11.29
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH 发明人
分类号 H01L25/00;H01L21/60;H01L21/607;H01L23/538;H01L25/07;H01L25/18;(IPC1-7):H01L23/48 主分类号 H01L25/00
代理机构 代理人
主权项
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