| 摘要 |
Den foreliggende oppfinnelse vedrører silisiummateriale for fremstilling av retningsorientert størknede Czochralski, flytsone eller multikrystallinske silisium ingots, tynne silisiumplater eller bånd for fremstilling av silisiumskiver for fremstilling av PV solceller hvor silisiummaterialet inneholder mellom 0,2 og 1 0 ppma bor og mellom 0, 1 og 1 0 ppma fosfor distribuert i materialet. Oppfinnelsen vedrører videre rettet størknet Czochralski, flytsone eller multikrystallinsk silisiumingot eller tynne silisiumplater eller -bånd for fremstilling av tynne silisiumskiver for fremstilling av solceller, inneholdende 0,2 ppma og 10 ppma bor og mellom 0,1 ppma og 10 ppma fosfor, hvilken silisiumingot har et omvandlingspunkt fra p-type til n-type eller fra n-type til p-type ved en posisjon mellom 40 og 99% av ingothøyden eller av tykkelsen av platene eller båndene og har en motstandsprofil beskrevet av en eksponentiell kurve med en startverdi mellom 0,4 og 10 ohm cm og hvor motstandsverdien øker mot omvandlingspunktet. Oppfinnelsen vedrører også en fremgangsmåte for fremstilling av silisiummateriale for fremstilling av rettet størknede silisiumingoter, tynne plater eller -bånd for fremstilling av silisiumskiver for PV solceller.
|
