| 发明名称 |
METHOD FOR IMPURITY IONS FOR ADJUSTING THE THRESHOLD VOLTAGE IN N-CHANNEL MOS TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050066890(A) |
申请公布日期 |
2005.06.30 |
| 申请号 |
KR20030098374 |
申请日期 |
2003.12.27 |
| 申请人 |
DONGBU ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, HAG DONG |
| 分类号 |
H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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