发明名称 Heterostruktur-Feldeffekttransistor mit schwerschmelzendem Gatter und Verfahren
摘要
申请公布号 DE69634760(D1) 申请公布日期 2005.06.30
申请号 DE19966034760 申请日期 1996.01.29
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 O'NEIL, VERNON PATRICK II;ABROKWAH, JONATHAN K.;HASHEMI, MAJID M.;HUANG, JENN-HWA;NAIR, VIJAY K.;NIKPOURIAN, FARIDEH;TEHRANI, SAIED NIKOO
分类号 H01L29/41;H01L21/285;H01L21/335;H01L21/338;H01L21/76;H01L21/8252;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872;(IPC1-7):H01L21/335;H01L21/825;H01L27/06 主分类号 H01L29/41
代理机构 代理人
主权项
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