Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Aufbringen einer Hartmaskenschicht (5) auf das Halbleitersubstrat (1); Aufbringen einer siliziumhaltigen Spin-On-Maskenschicht (13) auf der Hartmaskenschicht (5); Aufbringen einer Photolack-Maskenschicht (11) auf der Spin-On-Maskenschicht (13); photolithographisches Strukturieren der Photolack-Maskenschicht (11); Übertragen der Strukturierung der Photolack-Maskenschicht (11) auf die siliziumhaltige Spin-On-Maskenschicht (13) mittels eines ersten Ätzverfahren; und Übertragen der Strukturierung der Spin-On-Maskenschicht (13) auf die Hartmaskenschicht (5) mittels eines zweiten Ätzverfahrens.