Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Halbleitersubstraten mit vergrabenen Schichten durch Verbinden von Halbleiterscheiben (Bonden)

摘要

Es werden ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung von Halbleitersubstraten, z. B. für SOI- oder MEMS-Technologien, angegeben, die durch Verbinden (Bonden) zweier Halbleiterscheiben und Rückdünnen/Abtrennen einer Scheibe entstehen. An den zu verbindenden Scheiben werden spezielle, kurze Facetten angebracht. Die Vorteile liegen in einer Reduzierung der nicht verbundenen Randbereiche der Scheiben und damit in der Vergrößerung der nutzbaren Scheibenfläche und in einer Verringerung der technologischen Fehler (Randeffekte, Handlingsfehler).