Heteroepitaxieschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Wachstumssubtrat zur Herstellung von nicht-diamantenen epitaktischen Schichten mit einem Substrat (2) aus einkristallinem Silizium, mindestens einer auf dem Substrat angeordneten epitaktischen, vorteilhafterweise oxidischen Pufferschicht sowie mindestens einer auf der Pufferschicht angeordneten Metallschicht (4), enthaltend oder bestehend aus einem Übergangsmetall der 4., 5. und/oder 6. Periode, mit einem Schmelzpunkt größer oder gleich 1200 K.