发明名称 MOS TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR20050066614(A) 申请公布日期 2005.06.30
申请号 KR20030097922 申请日期 2003.12.26
申请人 DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. 发明人 BYUN, DONG IL
分类号 H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址