METHOD FOR FABRICATING FLASH MEMORY DEVICE HAVING TRENCH ISOLATION,申请号KR20030098363-传众专利搜索

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发明名称	METHOD FOR FABRICATING FLASH MEMORY DEVICE HAVING TRENCH ISOLATION
摘要
申请公布号	KR20050066879(A)	申请公布日期	2005.06.30
申请号	KR20030098363	申请日期	2003.12.27
申请人	DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC.	发明人	KIM, JUM SOO;JUNG, SUNG MUN
分类号	H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115	主分类号	H01L21/336
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