| 发明名称 |
METHOD FOR EXAMINING THE DEFECT OF GATE OXIDE LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050066876(A) |
申请公布日期 |
2005.06.30 |
| 申请号 |
KR20030098360 |
申请日期 |
2003.12.27 |
| 申请人 |
DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
NA, YOO SEOK |
| 分类号 |
H01L21/66;(IPC1-7):H01L21/66 |
主分类号 |
H01L21/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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