Technik zur Herstellung einer Gateelektrode unter Anwendung einer Hartmaske

摘要

Der anisotrope Ätzprozess zur Herstellung von Schaltungselementen, etwa einer Gateelektrode, wird erreicht, indem eine Hartmaske anstelle eines Lackstrukturelements verwendet wird, wodurch ein komplexer Lackschrumpfprozess vermieden wird, wenn kritische Abmessungen erforderlich sind, die deutlich unterhalb des Auflösungsvermögens der verwendeten Photolithographie liegen. Ferner kann die kritische Abmessung mittels eines Abscheideprozesses anstelle eines Lackschrumpfprozesses eingestellt werden.