发明名称 MAGNETODIODE
摘要 <p>Магнитодиодът е приложим в областта на контролно-измервателната технология, слабополевата магнитометрия, сензориката и микросистемите, безконтактната автоматика, уредостроенето, енергетиката, електротехниката и други. Той е с повишена магниточувствителност. Магнитодиодът съдържа полупроводникова подложка (1) с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани на равни разстояния един от друг три еднакви контакта с правоъгълна форма - един централен (2) и симетрично на него - по един краен омичен контакт (3 и 4), всичките разположени успоредно на дългите си страни. Токоизточникът (7) е свързан с крайните омични контакти (3 и 4) през тример (8) и съответен товарен резистор (9 и 10). Изход (13) на магнитодиода са контактите (3 и 4), а външното магнитно поле (14) е приложено успоредно на дългите страни на правоъгълните контакти (2, 3 и 4). Централният контакт (2) е р-n преход. Върху повърхността на полупроводниковата подложка (1), между централния р-n преход (2) и двата крайни омични контакта (3 и 4), е формиран върху изолационен слой още по един двустранно прекъснат гейт (5 и 6) с правоъгълна форма, две от страните на които са успоредни на дългите страни на трите контакта (2, 3 и 4), като дължините им са равни помежду си. Централният р-n преход (2) е включен в права посока с токоизточника (7) по отношение на двата крайни омични контакта (3 и 4). Между изводитена токоизточника (7) са включени още два еднакви по стойност тримера (11 и 12),</p>
申请公布号 BG108402(A) 申请公布日期 2005.06.30
申请号 BG20030108402 申请日期 2003.12.02
申请人 RUMENIN CHAVDAR 发明人 RUMENIN CHAVDAR
分类号 H01L29/82;H01L29/861;H01L29/96;(IPC1-7):H01L29/82 主分类号 H01L29/82
代理机构 代理人
主权项
地址