发明名称 |
精确控制离子注入浓度的方法及同步控制压力补偿因子的方法 |
摘要 |
一种精确控制离子注入浓度的方法,首先分析离子注入机中的残余气体,之后测量这些残余气体在离子注入机内的分压,其中若有三种残留气体残留在离子注入机内,则第一、第二、第三残余气体的分压分别为P1、P2、P3,且第一、第二、第三残余气体的K常数分别为K1、K2、K3,其中K表示残余气体与离子束产生电荷交换反应的能力。之后,测量离子束的电流值Im,因此离子束实际注入量Ir为:Im=Ir×e<SUP>-(K1P1+K2P2+K3P3)</SUP>。因本发明将离子注入机内各种残余气体的分压以及与离子束产生电荷交换反应的能力都列入考量,因此可以精确的控制离子注入的浓度。 |
申请公布号 |
CN1632920A |
申请公布日期 |
2005.06.29 |
申请号 |
CN200310123504.4 |
申请日期 |
2003.12.24 |
申请人 |
茂德科技股份有限公司 |
发明人 |
许恒凯;陈昱企 |
分类号 |
H01L21/265;H01J37/317 |
主分类号 |
H01L21/265 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
贾静环;宋莉 |
主权项 |
1.一种精确控制离子注入浓度的方法,包括:分析离子注入机中的残余气体;测量所述残余气体在该离子注入机内的分压,其中有三种残留气体,则第一残余气体的分压为P1、第二残余气体的分压为P2、第三残余气体的分压为P3,且该第一残余气体的常数为K1、第二残余气体的常数为K2、第三残余气体的常数为K3,其中K1、K2、K3表示第一、第二、第三残余气体与离子束产生电荷交换反应的能力;以及测量该离子束的电流值Im,其中该离子束实际注入量Ir为:Im=Ir×e-(K1P1+K2P2+K3P3)。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园 |