发明名称 发光二极管
摘要 一种发光二极管(1)在一个有源层(3)上面具有一个窗口层(4),该窗口层具有锯齿状异形结构的耦合输出桥(6),在耦合输出桥(6)上方延伸有边缘导线(11),通过这些导线将电流注入到有源层(3)中。发光二极管(1)的特征在于耦合输出效率特别高。
申请公布号 CN1633717A 申请公布日期 2005.06.29
申请号 CN01818886.9 申请日期 2001.11.14
申请人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明人 R·沃思
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 苏娟;赵辛
主权项 1.发光二极管,带有一个发射光子的有源层(3)和一个至少可透过所发射光子中的一部分的窗口层(4),在该窗口层上有一个电触点用于将电流馈入到有源层(3)中,其特征在于,窗口层具有一个纵向延伸的耦合输出桥(6),在该耦合输出桥上有一条纵向延伸的接触导线(11,19),耦合输出桥具有至少一个沿着接触导线(11,19)延伸的侧面(12),该侧面用横向于接触导线(11,19)延伸的突出部分(13)作成异形结构。
地址 德国雷根斯堡