浅沟隔离半导体及其制造

摘要

一种半导体器件包括：一块带有半导体元件的硅基片；一个形成于硅基片中的隔离沟，用于将硅基片中有源区域进行隔离，隔离沟具有一个梯形截面形状，具有随着离硅基片表面的深度加深而逐渐变窄的宽度；一层形成于沟表面上、由厚度为1至5nm的氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜组成的第一衬垫绝缘薄膜；一层形成于第一衬垫绝缘薄膜上、由厚度为2至8nm的氮化硅薄膜组成的第二衬垫绝缘薄膜；及一个用于把由第二衬垫绝缘薄膜所形成的沟进行填充的隔离区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括：一个带有半导体元件的硅基片；一个形成于所述硅基片中的隔离沟，用于隔离所述硅基片中有源区，所述隔离沟具有梯形的横截面形状、该横截面形状具有从所述硅基片表面随深度而逐渐变窄的宽度；一层形成于所述沟的表面上的第一衬垫绝缘薄膜，所述第一衬垫绝缘薄膜由厚度为l至5nm的氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜构成；一层形成于所述第一衬垫绝缘薄膜上的第二衬垫绝缘薄膜，所述第二衬垫绝缘薄膜由厚度为2至8nm的氮化硅薄膜构成；及一个隔离区，用于填埋由所述第二衬垫绝缘薄膜所限定的所述沟。