| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 不用添加等离子照射等新的工序，解除形成氧化硅膜时的基底依赖性，实现良好埋入特性。在覆盖栅电极21而形成的膜密度低的氮化硅膜23上，通过在含有TEOS和O<SUB>3</SUB>的气氛中温度500℃以下成膜氧化硅膜24，使基底依赖性消失，获得优良的埋入特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1208815C | 申请公布日期 | 2005.06.29 |
| 申请号 | CN03148584.7 | 申请日期 | 2003.07.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 桧山晋;山本明人;赤堀浩史;斋田繁彦 |
| 分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征是具备：在半导体衬底上形成的，膜物质密度为2.2g/cm3或以下的氮化硅膜；以及在所述氮化硅膜上，在含有TEOS和O3的气氛中成膜的氧化硅膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||