一种形成双大马士革结构中刻蚀阻挡层的方法

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了能够简化工艺，并对材料的介电常数进行调节，提出两种形成介质间抗刻蚀层的方法，分别针对有机和无机lowk材料。当使用无机lowk材料时，在CVD淀积的最后阶段，加入一些其它气体，通过反应，形成新的材料，如SiON作为刻蚀阻挡层。而对于有机lowk材料而言，在旋涂结束后的烘焙过程中通入一些气体进行表面处理，或者在有机lowk材料(没有完全固化时)进行离子注入、等离子体处理，使用如含N基团，使表面发生变性，形成新的抗刻蚀层。

主权项

1、一种形成双大马士革结构中刻蚀阻挡层的方法，其特征在于当通孔一级的lowk材料是无机材料时，在CVD淀积通孔一级lowk材料的最后阶段，通入一些与成膜反应气体不同的其它气体，使表面形成与基体材料性质不同的膜，以形成与通孔一级lowk材料相比性质不同的刻蚀阻挡层；而当通孔一级的lowk材料是有机材料时，在旋涂通孔一级的lowk材料结束后，或在烘焙过程中，或在膜完全固化前通过离子注入或等离子体处理方式使表面变性，形成与基体材料性质不同的膜，从而形成刻蚀阻挡层。