发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
在一种衬底上形成了半导体有源器件电路和导电线的半导体器件中,导电线被多次分割且各线的布线电阻限制在一预定数值或更小以便各线有均匀的布线电阻。将波形变坏响应信号分量加到通过信号线传输的信号上以便改善信号的波形变坏。此外,形成了一个与电源线相对的电容形成电极,并用在电源线和电容形成电极之间插入电介质的方法形成一个电容以便降低发生在电源线中的高频噪音。这就比以前更彻底地降低了有源器件电路中不规则运行的出现。 |
申请公布号 |
CN1208661C |
申请公布日期 |
2005.06.29 |
申请号 |
CN98119264.5 |
申请日期 |
1994.07.28 |
申请人 |
夏普公司 |
发明人 |
米田裕;吉田茂人;山根康邦;加藤宪一;石井裕 |
分类号 |
G02F1/13;H01L27/04;G09G3/36 |
主分类号 |
G02F1/13 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
陈景峻;李亚非 |
主权项 |
1.一种半导体器件,它包含:一个衬底(301);一个包括一个半导体有源器件(302)的有源器件电路,上述有源器件电路形成在上述衬底(301)上;一个用来从上述半导体器件外部向上述有源器件电路供电的电源线(303),上述电源线形成在上述衬底(301)上;一个带有参考电位的用于形成电容的电极(304),上述电容形成用电极安排至少上述电极的一部分同上述电源线(303)相对;以及一个安排在上述电源线和安排成与之相对的上述用于形成电容的电极(304)之间的用于形成电容的电介质(305),以上述电源线(303)和用于形成电容的电极(304)作为电极形成电容;作为分布常数电路处理的电源线(303)的布线电阻和上述电容构成CR过滤器。 |
地址 |
日本大阪市 |