弯曲不敏感光纤及其制备方法

摘要

本发明涉及一种对弯曲不敏感的单模光纤及其制备方法，其波导结构具有芯层和包层，其中包层又分为五个包层，芯层和各包层的折射率都不同，该光纤制备方法采用PCVD工艺，原材料按照不同的配比及在没有氧气和氟利昂的环境下进行烧实，得到一种弯曲不敏感光纤。该光纤相对于常规G.65 2光纤而言，这种光纤的弯曲损耗在1310nm波长和1550nm波长小于0.005dB，光纤的截止波长≤1290nm，光缆截止波长≤1260nm；光纤模场直径为7±0.8μm；零色散波长在1310nm附近，色散斜率不大于0.065ps/nm2＊km；在1550nm处的色散≤12ps/nm＊km。光纤在1310nm的衰减≤0.36dB/km，在1550nm的衰减≤0.24dB/km。该光纤主要应用于集成小型化光器件，卷绕或编织成小弯曲半径光纤通信的应用。

主权项

1、一种抗弯光纤，其波导结构具有芯层和包层，其中包层又分为五个包层，芯层和各包层的相对折射率差都相对于第五包层，其特征在于：芯层相对折射率差：0.6％≤Δ1≤0.8％，芯层半径2.5微米≤r1≤2.9微米；第一包层相对折射率差：-0.5％≤Δclad1≤-0.4％，第一包层半径3.0微米≤rclad1≤3.5微米；第二包层相对折射率差：-0.4％≤Δclad2≤-0.35％，第二包层半径3.5微米≤rclad2≤4.3微米；第三包层相对折射率差：0％≤Δclad3≤0.1％，第三包层半径7微米≤rclad3≤8微米；第四包层相对折射率差：-0.1％≤Δclad4≤0％，第四包层半径40微米≤r clad4≤42微米，第五包层为纯二氧化硅，其折射率为二氧化硅玻璃折射率。