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发明名称 A METHOD FOR FORMING A CAPACITOR OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050064782(A) 申请公布日期 2005.06.29
申请号 KR20030096373 申请日期 2003.12.24
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 YUNE, HYOUNG SOON
分类号 H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
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