发明名称 差别注入式材料处理系统
摘要 描述了一种包括沉积源的差别注入式沉积系统,该沉积源,如磁控管溅射源,置于第一小室。沉积源生成包括中性原子和分子的沉积流,限定孔的屏蔽物置于沉积流的路径上。屏蔽物使沉积流通过孔,并阻止沉积流越过屏蔽物的范围。基片承载器置于邻近屏蔽物的第二小室。第二小室中的压力低于第一小室的压力。双扫描系统按照第一和第二运动相对于孔扫描基片承载器,因而提高了沉积薄膜的均匀性。
申请公布号 CN1208494C 申请公布日期 2005.06.29
申请号 CN01814637.6 申请日期 2001.07.09
申请人 尤纳克西斯美国公司 发明人 皮埃罗·斯弗拉佐
分类号 C23C14/00;C23C14/04;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/46;C23C16/00 主分类号 C23C14/00
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 王志森;黄小临
主权项 1.一种差别注入式沉积系统,包括:a.置于第一小室的沉积源,该沉积源产生包括中性原子和分子的沉积流;b.限定位于沉积流路径中的孔的屏蔽物,该屏蔽物使沉积流通过孔,并在其它各处显著阻挡沉积流传播通过屏蔽物;c.置于邻近屏蔽物的第二小室中的基片承载器;第二小室中的压力低于第一小室中的压力;d.双扫描系统,用于按照旋转运动和平移运动相对于孔扫描基片承载器。
地址 美国佛罗里达州