发明名称 |
差别注入式材料处理系统 |
摘要 |
描述了一种包括沉积源的差别注入式沉积系统,该沉积源,如磁控管溅射源,置于第一小室。沉积源生成包括中性原子和分子的沉积流,限定孔的屏蔽物置于沉积流的路径上。屏蔽物使沉积流通过孔,并阻止沉积流越过屏蔽物的范围。基片承载器置于邻近屏蔽物的第二小室。第二小室中的压力低于第一小室的压力。双扫描系统按照第一和第二运动相对于孔扫描基片承载器,因而提高了沉积薄膜的均匀性。 |
申请公布号 |
CN1208494C |
申请公布日期 |
2005.06.29 |
申请号 |
CN01814637.6 |
申请日期 |
2001.07.09 |
申请人 |
尤纳克西斯美国公司 |
发明人 |
皮埃罗·斯弗拉佐 |
分类号 |
C23C14/00;C23C14/04;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/46;C23C16/00 |
主分类号 |
C23C14/00 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
王志森;黄小临 |
主权项 |
1.一种差别注入式沉积系统,包括:a.置于第一小室的沉积源,该沉积源产生包括中性原子和分子的沉积流;b.限定位于沉积流路径中的孔的屏蔽物,该屏蔽物使沉积流通过孔,并在其它各处显著阻挡沉积流传播通过屏蔽物;c.置于邻近屏蔽物的第二小室中的基片承载器;第二小室中的压力低于第一小室中的压力;d.双扫描系统,用于按照旋转运动和平移运动相对于孔扫描基片承载器。 |
地址 |
美国佛罗里达州 |