发明名称 热电子增强离子渗硼装置及工艺
摘要 一种热电子增强离子渗硼装置及工艺,属于金属材料表面化学热处理工艺技术的范畴,是在黑色金属和有色金属的表面利用空心阴极效应及热电子发射效应,进行离子渗硼与硼-金属共渗的技术和装置。提供了以固体金属硼化物为供给硼源的离子渗硼装置和方法。空心阴极效应及热电子发射效应效应,加强了硼的渗入及可控性。以硼铁、硼钛、硼铬、硼镍等为硼化物源极材质,实现渗硼和硼-钛、硼-铬、硼-镍共渗。是一种硼原子形成方便、快捷、无污染、渗入速度快,渗层均匀,成分可控,设备简单,成本低,无氢渗硼的辉光放电技术及装置。
申请公布号 CN1632159A 申请公布日期 2005.06.29
申请号 CN200510012311.0 申请日期 2005.01.07
申请人 太原理工大学 发明人 秦林;李咏梅;范爱兰;唐宾
分类号 C23C8/68 主分类号 C23C8/68
代理机构 太原市科瑞达专利代理有限公司 代理人 庞建英
主权项 1·热电子增强离子渗硼装置其特征在于,主要有阴极转动系统1,阴极托盘2,工件3,源极4,接地的真空容器5,直流电源系统6,抽真空系统7,进气系统8,热电子发射系统9组成。直流电源系统6由相互独立的两个高压直流电源或脉冲直流电源组成,两电源的负极分别接在工件3上和源极4上,正极都接在接地的真空容器5上;工件3放置在阴极托盘2上,源极4置于工件3周围,源极材质是固体金属硼化物;热电子发射系统9由热电子电源和发射装置构成,发射装置置于炉内空腔中。
地址 030024山西省太原市迎泽西大街79号