一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法

摘要

本发明涉及生产半导体集成电路中形成电路的互连线层间或每层互连线间的绝缘介质的制备方法，特别是用溶胶－凝胶法制备多孔二氧化硅薄膜的方法。本发明的方法是在用溶胶－凝胶法制备多孔二氧化硅低介电常数材料的工艺技术中，采用氢氟酸替换现有技术的盐酸作为催化剂。本发明不但继续保留了溶胶－凝胶法的优势，而且在薄膜制备过程中直接引入氟离子，从而使含氟纳米多孔二氧化硅薄膜材料的微结构和化学键合状态得到很大改善，进一步降低了薄膜的介电常数，并使多孔二氧化硅/硅材料系统的界面电荷态和漏电流性能大为改善。

主权项

1、一种用溶胶-凝胶法制备多孔低介电常数薄膜材料的方法，其特征在于采用氢氟酸作为催化剂。