| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING OXIDE LAYER CONTACTED TO SOURCE AND DRAIN |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050065044(A) |
申请公布日期 |
2005.06.29 |
| 申请号 |
KR20030096790 |
申请日期 |
2003.12.24 |
| 申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
KIM, TAE KYUN;LEE, MIN YONG |
| 分类号 |
H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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