半导体器件及其制造方法

摘要

通过使用将逻辑电路(LOGIC)内的金属布线和相同层(M3)的金属布线作为电极来利用的MIM电容器，形成DRAM的存储单元电容C3，能够降低工艺成本。通过使用高电介质材料形成电容器，配置在比形成了位线(BL)的布线层更上层上，能够实现高集成化。此外，通过使用2T单元，即使在低电压中工作，也能确保充足的信号量。通过通用模拟(ANALOG)和存储器(MEM)中的形成电容器的工艺，能够用低成本来实现在一个芯片上搭载了逻辑、模拟、存储器的半导体集成电路。

主权项

1.一种半导体器件，具有逻辑电路和配置在多条字线与多条位线的交点上的多个DRAM存储单元，其特征在于，上述DRAM存储单元具有电容器和第一MISFET，上述电容器具有第一金属电极、形成在第一金属布线层上的第二金属电极、设置在上述第一和第二金属电极之间的第一电介质膜，上述逻辑电路使用形成在上述第一金属布线层上的布线。