一种新的超薄含氮栅介质制备方法

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域。具体为一种新的栅介质层制备方法。采用ISSG方法先制备一层薄氧化硅，再移入氮等离子体腔进行氮化，完毕后立即进行氮气氛退火。本发明提出一种高压脉冲等离子体氮化技术，得到了浓度与分布可控的含氮氧化硅介质层。实验证明，栅介质层沟道迁移率良好，栅极漏电流得到较大幅度抑制，同时硼穿透现象也被有效阻止。本发明方法可靠性好，操作性强。

主权项

1、一种含氮栅介质制备方法，其特征在于底部采用原位蒸汽产生法生长一层氧化硅，然后移入高压脉冲氮等离子体腔进行氮化，完毕后进行氮气氛退火。