| 发明名称 | 一种可以减小栅特征尺寸的两步削减刻蚀工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属集成电路工艺技术领域，具体为一种可以减小栅特征尺寸的两步削减刻蚀工艺。其第一步是对光刻胶和有机抗反射层进行削减，再通过各向异性刻蚀形成自对准硬掩膜，然后在光刻胶与有机抗反射层的保护下对硬掩膜进行各向同性的横向刻蚀，完成第二步削减，形成小于90纳米的硬掩膜。本发明解决了光刻胶在长时间的削减工艺中损耗过大带来的一系列尺寸偏移、物理形貌倒塌等工艺问题，并提供了进一步减小栅极尺寸的可行性。两步削减工艺可以得到物理形貌良好的90至30纳米栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1632921A | 申请公布日期 | 2005.06.29 |
| 申请号 | CN200410093459.7 | 申请日期 | 2004.12.23 |
| 申请人 | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 薛琳艳 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/027;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 滕怀流;陆飞 |
| 主权项 | 1、一种减少栅特征尺寸的两步削减刻蚀工艺，其特征是，第一步对光刻胶和有机抗反射层进行削减，再通过各向异性刻蚀形成自对准硬掩膜，然后在光刻胶与有机抗反射层的保护下对硬掩膜进行各向同性的横向刻蚀，完成第二步削减，形成小于90纳米的硬掩膜。 | ||
| 地址 | 200020上海市淮海中路918号18楼 | ||