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发明名称 METHOD FOR FABRICATING TRANSISTOR HAVING DEPOSITED JUNCTION
摘要
申请公布号 KR20050062872(A) 申请公布日期 2005.06.28
申请号 KR20030093865 申请日期 2003.12.19
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 LIM, JAE EUN
分类号 H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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