发明名称 |
MASK FOR FORMING THE POLY SILICON LAYER AND CRYSTALLIZATION METHOD OF SILICON USING IT |
摘要 |
|
申请公布号 |
KR20050062853(A) |
申请公布日期 |
2005.06.28 |
申请号 |
KR20030093843 |
申请日期 |
2003.12.19 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, DONG BYUM |
分类号 |
H05B33/10;(IPC1-7):H05B33/10 |
主分类号 |
H05B33/10 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|