| 发明名称 |
MOS-FET und Herstellungsverfahren dafür |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4219319(B4) |
申请公布日期 |
2005.06.23 |
| 申请号 |
DE19924219319 |
申请日期 |
1992.06.12 |
| 申请人 |
GOLDSTAR ELECTRON CO., LTD. |
发明人 |
KANG, DAE KWAN |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/74;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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