| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung mit vertiefter Kanalstruktur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19612948(B4) |
申请公布日期 |
2005.06.23 |
| 申请号 |
DE19961012948 |
申请日期 |
1996.04.01 |
| 申请人 |
LG SEMICON CO., LTD. |
发明人 |
LEE, SUNG CHUL;LIM, MIN GYU |
| 分类号 |
H01L27/112;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L27/112 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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