| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:一形成于半导体基体上的闸极电极,一绝缘薄膜系形成于该半导体基体与该闸极电极之间;一形成于该闸极电极之一侧的源极区域,该源极区域具有一轻度掺杂源极区域与一具有比该轻度掺杂源极区域高之载体浓度的重度掺杂源极区域;一形成于该闸极电极之另一侧的汲极区域,该汲极区域具有一轻度掺杂汲极区域与一具有比该轻度掺杂汲极区域高之载体浓度的重度掺杂汲极区域;一形成于该源极区域上的第一矽化物层;一形成于该汲极区域上的第二矽化物层;一连接到该第一矽化物层的第一导体插塞;及一连接到该第二矽化物层的第二导体插塞,该重度掺杂汲极区域系被形成于该轻度掺杂汲极区域之除了其之周缘部份之外的区域中,及该第二矽化物层系被形成于该重度掺杂汲极区域之除了其之周缘部份之外的区域中。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,该第二导体插塞系被形成下迄到该第二矽化物层之除了其之周缘部份之外的部份。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,一个于在该闸极电极之侧边之重度掺杂汲极区域之边缘与在该闸极电极之侧边之轻度掺杂汲极区域之边缘之间的距离系比一个于在该闸极电极之侧边之重度掺杂源极区域之边缘与在该闸极电极之侧边之轻度掺杂源极区域之边缘之间的距离大。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,一个于在该闸极电极之侧边之第二矽化物层之边缘与在该闸极电极之侧边之重度掺杂汲极区域之边缘之间的距离系比一个于在该闸极电极之侧边之第一矽化物层之边缘与在该闸极电极之侧边之重度掺杂源极区域之边缘之间的距离大。5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,该重度掺杂源极区域亦被形成在该轻度掺杂源极区域之周缘部份的一部份。6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,该第一矽化物层亦被形成在该轻度掺杂源极区域之周缘部份的一部份。7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,该第一导体插塞系被形成下迄到该第一矽化物层之除了其之周缘部份之外的区域。8.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,更包含另一个被形成于该轻度掺杂汲极区域之周缘部份与该重度掺杂汲极区域之周缘部份的绝缘薄膜,且在其中,该第二矽化物层系被形成于该重度掺杂汲极区域之不被形成有该另一个绝缘薄膜的区域中。9.如申请专利范围第8项所述之半导体装置,更包含一被形成于该闸极电极之侧壁上的侧壁绝缘薄膜,且在其中,该另一绝缘薄膜亦被形成于该侧壁绝缘薄膜的侧壁上。10.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,在该第二矽化物层之边缘与该重度掺杂汲极区域之边缘之间的距离是为0.1m或以上。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中,在该第二矽化物层之边缘与该重度掺杂汲极区域之边缘之间的距离是为0.5m或以上。12.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,更包含一个与该汲极区域相邻的元件隔离区域,且在其中,该重度掺杂汲极区域系与该元件隔离区域分隔。13.如申请专利范围第12项所述之半导体装置,其中,该重度掺杂源极区域系与该元件隔离区域接触。14.如申请专利范围第12项所述之半导体装置,其中,该第一矽化物层系与该元件隔离区域接触。15.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,在该导体插塞之边缘与该第二矽化物层之边缘之间的距离是为0.3m或以上。16.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,更包含一形成于该闸极电极上的第三矽化物层。17.一种用于制造半导体装置的方法,包含如下之步骤:形成一闸极电极于一半导体基体上,一闸极绝缘薄膜系被形成于该闸极电极与该半导体基体之间;以该闸极电极作为光罩来把掺杂剂植入到该半导体基体内俾可形成一轻度掺杂源极区域于该半导体基体内在该闸极电极的一侧及形成一轻度掺杂汲极区域于该半导体基体内在该闸极电极的另一侧;形成一侧壁绝缘薄膜于该闸极电极的侧壁上;以一个覆盖该轻度掺杂汲极区域之周缘区域的第一光罩、该闸极电极及该侧壁绝缘薄膜作为光罩来把掺杂剂植入到该半导体基体内俾可形成一重度掺杂源极区域于该半导体基体内在该闸极电极的一侧及形成一重度掺杂汲极区域于该轻度掺杂汲极区域之除了其之周缘区域之外的区域中;及以一个被形成覆盖该重度掺杂汲极区域之第二光罩来形成一第一矽化物层于该重度掺杂源极区域上及形成一第二矽化物层于该重度掺杂汲极区域之除了其之周缘区域之外的区域中。18.如申请专利范围第17项所述之用于制造半导体装置的方法,在形成一第一矽化物层与一第二矽化物层的步骤之外,更包含形成一连接到该第一矽化物层之第一导体插塞与一连接到该第二矽化物层之第二导体插塞的步骤,及在其中,于形成一第一导体插塞与一第二导体插塞的步骤中,该第二导体插塞系被形成下迄到该第二矽化物层之除了其之周缘部份之外的部份。19.如申请专利范围第18项所述之用于制造半导体装置的方法,其中,在形成一第一导体插塞与一第二导体插塞的步骤中,该第一导体插塞系被形成下迄到该第一矽化物层之除了其之周缘部份之外的部份。20.如申请专利范围第18项所述之用于制造半导体装置的方法,其中,在形成一第一矽化物层与一第二矽化物层的步骤中,一第三矽化物层系进一步被形成于该闸极电极上。图式简单说明:第1图是为本发明之一实施例之半导体装置的剖视图。第2A和2B图是为本发明之该实施例之半导体装置的剖视图和平面图。第3A和3B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份1)。第4A和4B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份2)。第5A和5B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份3)。第6A和6B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份4)。第7A和7B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份5)。第8A和8B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份6)。第9A和9B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份7)。第10A和10B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份8)。第11A和11B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份9)。第12A和12B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份10)。第13A和13B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份11)。第14A和14B图是为该实施例之半导体装置之采取用于制造半导体装置之方法之步骤之方式的剖视图,该等剖视图显示该方法(部份12)。第15图是为本发明之该实施例之半导体装置之变化的剖视图。第16图是为被建议之半导体装置的剖视图。第17图是为另一被建议之半导体装置的剖视图。 |
