| 主权项 |
1.一种使液体磁化的装置,其包含:一高频电流源,用以产生高频电流;励磁线圈,利用该高频电流以产生交变磁场;一导磁体,使该交变磁场形成封闭磁路;以及一导流元件,设置为可导引待被磁化之液体垂直穿过该交变磁场,藉此使液体磁化。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该励磁线圈系绕于导磁体之中间结构上。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该励磁线圈系绕于导磁体之侧边结构上。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该励磁线圈系为一组线圈。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该励磁线圈系为多组线圈。6.如申请专利范围第1项之装置,其中所选用之导磁体材料之导磁系数远大于1,以使于封闭磁路中产生之磁场强度较高。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该导磁体之材料依据不同之磁化频率而异。8.如申请专利范围第6或7项之装置,其中该导磁体之材料为铁氧体。9.如申请专利范围第6或7项之装置,其中该导磁体之材料为铁镍钼磁粉芯。10.如申请专利范围第6或7项之装置,其中该导磁体由极薄的坡莫合金(permalloy)片叠成。11.如申请专利范围第6或7项之装置,其中该导磁体由极薄的冷轧矽钢片叠成。12.如申请专利范围第1项之装置,其中该导磁体可以是双E型或EI型结构。13.如申请专利范围第1项之装置,其中该导磁体可以是双C型或CI型结构。14.如申请专利范围第1项之装置,其中该导流元件系直接穿过高频交变磁场。15.如申请专利范围第1项之装置,其中该导流元件由非导磁材料制成。16.如申请专利范围第1或15项之装置,其中该导流元件由尼龙或树脂材料制成。17.如申请专利范围第1或15项之装置,其中该导流元件为一水管。18.如申请专利范围第1或15项之装置,其中该导流元件为圆型或扁型。19.如申请专利范围第1项之装置,其中该液体为水。20.如申请专利范围第1项之装置,其中该高频电流源包含由电力半导体元件构成之变流器。21.如申请专利范围第20项之装置,其中该变流器系双电晶体顺向式变流器。22.如申请专利范围第20项之装置,其中该变流器系单电晶体顺向式变流器。23.如申请专利范围第20项之装置,其中该变流器系桥式变流器。24.如申请专利范围第20项之装置,其中电力半导体元件为场效电晶体(MOSFET)。25.如申请专利范围第20项之装置,其中电力半导体元件为绝缘闸极双极电晶体(IGBT)。26.如申请专利范围第1项之装置,其中该高频电流源采取脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation, PWM)之调节技术。27.如申请专利范围第1项之装置,其中该高频电流源之频率为可变,且在频率变化过程中,脉冲的占空比(Duty Cycle)可以保持恒定。28.如申请专利范围第1项之装置,其中该高频电流源具有过电压、过电流保护功能,当发生异常时,该高频电流源会自动关闭。29.如申请专利范围第1项之装置,其中该高频电流源于励磁线圈温度过高或高频电流源本身温升过高时,亦能自动切断电源进行保护。30.如申请专利范围第1项之装置,其中该导流元件发生堵塞时,该装置即会发出警报信号。图式简单说明:图1为依本创作之使液体磁化之装置之一实施例。图2为依本创作之使液体磁化之装置之另一实施例。图3为应用于本创作之使液体磁化之装置之高频电流源连接至励磁线圈之一例示电路图。 |
