| 主权项 |
1.一种插栓结构上之电容器,包含:一电容器包含有一介电层介于第一以及第二电极之间;以及一插栓包含有一传导插栓材料与该第一电极耦合,该插栓包括较上面以及较下面的部位,其中较上面的部位包含有一表面积大体上与该第一电极之表面积相等。2.根据申请专利范围第1项所述之电容器,其系为一记忆体胞元之一部份。3.根据申请专利范围第2项所述之电容器,更包含一复数的记忆体胞元以形成一记忆体阵列。4.根据申请专利范围第3项所述之电容器,其中该介电层包含一铁电层。5.根据申请专利范围第2项所述之电容器,其中该记忆体阵列系被安排以一串联的结构。6.根据申请专利范围第5项所述之电容器,其中该介电层包含一铁电层。7.根据申请专利范围第1项所述之电容器,其中该介电层包含一铁电层。8.根据申请专利范围第1项所述之电容器,其中该插栓材料包含多晶矽。9.根据申请专利范围第8项所述之电容器,更包含一阻障层介于该第一电极之底部表面以及该插栓之该较上方的部位之间。10.根据申请专利范围第9项所述之电容器,更包含一矽化物层介于在该电极上之该阻障层以及该插栓之较上方部位之间。11.根据申请专利范围第8项所述之电容器,更包含一矽化物层介于该阻障层以及该插栓材料之间。12.根据申请专利范围第8项所述之电容器,更包含一封装层在该电容器之上。13.根据申请专利范围第12项所述之电容器,其中该封装层保护该电容器不受氧的扩散。14.根据申请专利范围第12项所述之电容器,其中该封装层包含氧化铝。15.一种插栓结构上之电容器,包含:一电容器对具有第一以及第二电容器,其中该第一以及第二电容器包含一介电层介于该第一以及第二电极之间,该第一以及第二电容器之第一电极系为一共有的第一电极;以及一插栓包含一传导插栓材料与该第一电极耦合,该插栓包含较上面以及较下面的部位,其中该较上面的部位包含一表面积大体上与该第一电极之表面积相等。图式简单说明:图1显示一传统COP结构。图2到图4显示一传统方法用以形成一COP结构。图5到图8显示根据本发明之一个实施例所形成一COP结构。图9显示本发明之一另一个实施例。 |
