| 主权项 |
1.一种晶片封装结构,至少包括:一散热片,具有一凹穴;一线路基板,配置于该散热片上,并具有一上表面,该线路基板对应于该凹穴之位置具有一开孔;一晶片,配置于该凹穴之底部,且该晶片系与该线路基板电性连接;一第一封装胶体,配置于该晶片与该散热片之间,且该第一封装胶体系与该凹穴之侧壁相连接;一第二封装胶体,配置于该第一封装胶体上,且该第二封装胶体系覆盖该晶片及部分之该线路基板;以及多数个导电凸块,配置于该线路基板之显露于该第二封装胶体之该上表面。2.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第一封装胶体之高度系小于该凹穴之深度。3.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第一封装胶体之高度系等于该凹穴之深度。4.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第一封装胶体之高度系大于该凹穴之深度。5.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,更包括一导热间隔层,其中该导热间隔层系配置于该晶片与该第一封装胶体之间,且该导热间隔层更延伸至该线路基板与该散热片之间。6.如申请专利范围第5项所述之晶片封装结构,其中该导热间隔层系一金属层。7.如申请专利范围第5项所述之晶片封装结构,其中该导热间隔层系一图案化金属层。8.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,更包括多数个导线,其中该些导线系电性连接于该晶片与该线路基板之间,且该第二封装胶体更包覆该些导线。9.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第一封装胶体与该第二封装胶体之材质相同。10.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第一封装胶体之材质包括环氧树脂。11.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第二封装胶体之材质包括环氧树脂。12.一种晶片封装制程,至少包括:于一散热片上形成一凹穴;于该凹穴之底部形成一第一封装胶体;于该散热片上配置一线路基板,且该线路基板之对应于该凹穴之位置系具有一开孔;于该第一封装胶体上配置一晶片;使该晶片与该线路基板电性连接;于该第一封装胶体上形成一第二封装胶体,并使该第二封装胶体覆盖该晶片及部分之该线路基板;以及于该线路基板上形成多数个导电凸块。13.如申请专利范围第12项所述之晶片封装制程,其中于形成该第一封装胶体与配置该线路基板之间,更包括于该第一封装胶体及该散热片上形成一导热间隔层。14.如申请专利范围第13项所述之晶片封装制程,其中该导热间隔层系一金属层。15.如申请专利范围第13项所述之晶片封装制程,其中该导热间隔层系一图案化金属层。16.如申请专利范围第12项所述之晶片封装制程,其中使该晶片与该线路基板电性连接之方法包括打线接合。17.一种晶片封装结构,至少包括:一散热片,具有一凹穴;一线路基板,配置于该散热片上,并具有一上表面,该线路基板对应于该凹穴之位置具有一开孔;一晶片,容置于该凹穴内;多数个导线,其系电性连接该晶片与该线路基板;一封装胶体,包覆该晶片及该些导线,并与该凹穴之底部及侧壁相连接;以及多数个导电凸块,配置于该线路基板之该上表面。图式简单说明:第1图绘示为习知一种晶片封装结构的示意图。第2A~2G图依序绘示为本发明之第一实施例之第一种晶片封装制程的示意图。第3图绘示为本发明之第一实施例之第二种晶片封装结构的示意图。第4图绘示为本发明之第一实施例之第三种晶片封装结构的示意图。第5图绘示为本发明之第二实施例之第一种晶片封装结构的示意图。第6图绘示为本发明之第二实施例之第二种晶片封装结构的示意图。第7A及7B图分别绘示为本发明之上述晶片封装结构与习知之晶片封装结构,针对不同温度所进行之翘曲情形的模拟分析图。 |
