| 主权项 |
1.一种非侵入式雷射照射装置,包括:一壳体;一电路板,该电路板设置于该壳体的内部;至少二个雷射发光元件,其分别安置于该壳体的内部,每一个雷射发光元件的一端伸出该壳体外,而每一个雷射发光元件的另一端电性连接于该电路板;一开关,该开关的一端设于该壳体上,而该开关的另一端与该电路板电性连接;及一导波管,该导波管系套设于该等雷射发光元件的前端。2.如申请专利范围第1项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该雷射发光元件所发射的光波为红外线脉冲波,其波长在800nm~900nm之间。3.如申请专利范围第1项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该壳体内部设有一电池室。4.如申请专利范围第1项所述之非侵入式雷射照射装置,其进一步包括一盖体,该盖体套设于该等雷射发光元件的前端。5.如申请专利范围第1项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该电路板电性连接一显示灯,该显示灯伸出该壳体外。6.如申请专利范围第5项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该显示灯为发光二极体。7.如申请专利范围第1项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该电路板电性连接一电源连接器,该电源连接器的一端伸出该壳体外。8.一种非侵入式雷射照射装置,包括:一壳体;一电路板,该电路板设置于该壳体的内部;至少二个雷射发光元件,其分别安置于该壳体的内部,每一个雷射发光元件的一端伸出该壳体外,而每一个雷射发光元件的另一端电性连接于该电路板;及一开关,该开关的一端设于该壳体上,而该开关的另一端与该电路板电性连接。9.如申请专利范围第8项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该雷射发光元件所发射的光波为红外线脉冲波,其波长在800nm~900nm之间。10.如申请专利范围第8项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该壳体内部设有一电池室。11.如申请专利范围第8项所述之非侵入式雷射照射装置,其进一步包括一盖体,该盖体套设于该等雷射发光元件的前端。12.如申请专利范围第8项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该电路板电性连接一显示灯,该显示灯伸出该壳体外。13.如申请专利范围第12项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该显示灯为发光二极体。14.如申请专利范围第8项所述之非侵入式雷射照射装置,其中该电路板电性连接一电源连接器,该电源连接器的一端伸出该壳体外。图式简单说明:第一图系本创作非侵入式雷射照射装置之较佳实施例之立体分解图。第二图系本创作非侵入式雷射照射装置之较佳实施例之立体组合图。第三图系本创作非侵入式雷射照射装置之较佳实施例之剖视图。第四图系本创作非侵入式雷射照射装置之较佳实施例之后视图。第五图系本创作非侵入式雷射照射装置之较佳实施例配合一盖体之立体图。 |
