发明名称 晶片封装组件及其散热元件
摘要 一种晶片散热元件,以应用至一晶片上。晶片散热元件具有一顶钣与侧壁,顶钣弯折且延伸连接侧壁,顶钣具有一凹陷板部以接触晶片。
申请公布号 TWI234863 申请公布日期 2005.06.21
申请号 TW092131273 申请日期 2003.11.07
申请人 矽统科技股份有限公司 发明人 刘渭琪;林蔚峰;吴忠儒
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 陈达仁 台北市中山区南京东路2段111号8楼之3;谢德铭 台北市中山区南京东路2段111号8楼之3
主权项 1.一种晶片散热元件,包含:一顶钣,具有一凹陷板部;以及一侧壁,该顶钣弯折且延伸连接该侧壁。2.如申请专利范围第1项所述晶片散热元件,其中该凹陷板部接触一晶片。3.如申请专利范围第1项所述晶片散热元件,其中该凹陷板部之形状为圆形。4.如申请专利范围第1项所述晶片散热元件,其中该凹陷板部之形状为方形。5.如申请专利范围第1项所述晶片散热元件,更包含一接触块。6.如申请专利范围第5项所述晶片散热元件,其中该接触块接触一晶片。7.如申请专利范围第5项所述晶片散热元件,其中该接触块之形状为方形。8.如申请专利范围第5项所述晶片散热元件,其中该接触块之形状为圆形。9.如申请专利范围第5项所述晶片散热元件,其中该接触块之材质为矽晶片。10.如申请专利范围第1项所述晶片散热元件,更包含一底钣弯折且延伸连接该侧壁。11.如申请专利范围第10项所述晶片散热元件,其中该侧壁与该底钣之交接处包含复数孔洞。12.如申请专利范围第10项所述晶片散热元件,其中该底钣包含复数凹陷处。13.如申请专利范围第5项所述晶片散热元件,其中该接触块之材质为金属。14.如申请专利范围第13项所述晶片散热元件,其中该接触块之材质为铝。15.如申请专利范围第13项所述晶片散热元件,其中该接触块之材质为铜。16.一种晶片封装组件,包含:一基底;一晶片,固定连接于该基底;以及一具有一顶钣之晶片散热元件,该顶钣系延伸至该基底上,其中该顶钣具有一凹陷板部,并让该晶片固着连接于该凹陷板部与该基底之间。17.如申请专利范围第16项所述晶片封装组件,其中该晶片散热元件更包含一侧壁与一弯折之底钣,而该顶钣系藉由该侧壁与该弯折之底钣延伸至该基底上。18.如申请专利范围第16项所述晶片封装组件,其中该凹陷板部之面积系与该晶片之面积相同。19.如申请专利范围第16项所述晶片封装组件,更包含一接触块固着于该凹陷板部与该晶片之间。20.如申请专利范围第19项所述晶片封装组件,其中该接触块系藉由一传导胶固着于该凹陷板部。图式简单说明:第一A图 习知晶片封装组件之结构;第一B图 习知之充填制程示意图;第二图 本发明晶片散热元件之第一实施例;第三图 应用本发明第一实施例之晶片封装组件;第四图 应用本发明第二实施例之晶片封装组件;第五图 应用本发明第三实施例之晶片封装组件;以及第六图 本发明之充填制程示意图。
地址 新竹市新竹科学园区研新一路16号