发明名称 具有防止带电构造之横电场方式液晶显示装置
摘要 本发明的目的在于即使从液晶显示板的表面外部施加静电等较高电位时,亦能防止显示异常的发生,在使用较高电阻系数的树脂组成物之黑色矩阵时,界定偏光板、黑色矩阵、密封部、筐体的开口领域之位置,可防止来自有效像素领域的周边部之光泄漏。以偏光板及筐体遮蔽无法只以黑色矩阵遮敝之背光的泄漏,在偏光板的近旁形成薄层电阻2×1014Ω/□以下的透明导电膜之层,电连接该导电膜与导电性的筐体之构成。
申请公布号 TWI234674 申请公布日期 2005.06.21
申请号 TW090122349 申请日期 1996.10.02
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 柳川和彦;太田益幸;小川和宏;启一郎;箭内雅弘;小西信武;衣川清重;三岛康之;松山茂
分类号 G02F1/13 主分类号 G02F1/13
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种液晶显示装置,系为针对介由液晶层相互对向而配置,2个透明基板当中,单位像素内,在第1基板的上方,具备开关元件及像素电极及对向电极,将背光组件备于前述第1基板的下方,在该像素电极与对向电极之间,用与该第1基板略平行所使其产生的电界而使其调变透过前述液晶层之光的构成;其特征为:在第2基板与液晶层之间,具备电阻系数高于106cm的树脂组成物之黑色矩阵,进而在与第2基板的液晶层相反侧之面上方,具有透光性的导电层至少被形成在像素形成领域,被配置在前述第2基板上方的偏光板之大小,被形成为比导电性筐体的开口领域还大,前述所对向的透明基板,系为以密封材连接,且前述黑色矩阵的外周围的至少一部分或是全部,被形成在比密封材形成领域还内侧,将前述偏光板的薄层电阻値设为低于21014/,且导电连接前述偏光板与筐体。2.一种液晶显示装置,系为针对介由液晶层相互对向而配置,2个透明基板当中,单位像素内,在第1基板上方,具备开关元件及像素电极及对向电极,将背光组件备于前述第1基板的下方,在该像素电极与对向电极之间,用与该第1基板略平行所使其产生的电界,使其调变透过前述液晶层之光的构成;其特征为:在第2基板与液晶层之间,具备电阻系数大于106cm的树脂组成物之黑色矩阵,进而在第2基板的液晶层相反侧之面上方,备有透光性的导电层至少被形成在像素形成领域,被配置在前述第2基板上方的偏光板之大小,被形成为比导电性筐体的开口领域还小,盖覆前述偏光板与筐体开口领域的间隙,被形成有遮光性的空间物,前述所对向的透明基板,系为以密封材连接,且前述黑色矩阵的外周围的至少一部分或是全部,被形成在比密封材形成领域还内侧,将前述偏光板的薄层电阻値设为低于21014/,且导电连接前述偏光板与筐体。3.一种液晶显示装置,系为针对介由液晶层相互对向而配置,2个透明基板当中,单位像素内,在第1基板的上方,具备开关元件及像素电极及对向电极,将背光组件备于前述第1基板的下方,在该像素电极与对向电极之间,用与该第1基板略平行所使其产生的电界而使其调变透过前述液晶层之光的构成;其特征为:在第2基板与液晶层之间,具备电阻系数高于106cm的树脂组成物之黑色矩阵,进而在与第2基板的液晶层相反侧之面上方,具有透光性的导电层至少被形成在像素形成领域,被配置在前述第2基板上方的偏光板之大小,被形成为比导电性筐体的开口领域还大,前述所对向的透明基板,系为以密封材连接,且前述黑色矩阵的外周围的至少一部分或是全部,被形成在比密封材形成领域还内侧,前述偏光板的上侧被形成有薄层电阻低于21014/的透明导电膜之层,且导电连接前述透明导电膜之层与筐体。4.一种液晶显示装置,系为针对介由液晶层相互对向而配置,2个透明基板当中,单位像素内,在第1基板上方,具备开关元件及像素电极及对向电极,将背光组件备于前述第1基板的下方,在该像素电极与对向电极之间,用与该第1基板略平行所使其产生的电界,使其调变透过前述液晶层之光的构成;其特征为:在第2基板与液晶层之间,具备电阻系数大于106cm的树脂组成物之黑色矩阵,进而在第2基板的液晶层相反侧之面上方,备有透光性的导电层至少被形成在像素形成领域,被配置在前述第2基板上方的偏光板之大小,被形成为比导电性筐体的开口领域还小,盖覆前述偏光板与筐体开口领域的间隙,被形成有遮光性的空间物,前述所对向的透明基板,系为以密封材连接,且前述黑色矩阵的外周围的至少一部分或是全部,被形成在比密封材形成领域还内侧,前述偏光板的上侧被形成有薄层电阻低于21014/的透明导电膜之层,且导电连接前述透明导电膜之层与筐体。5.一种液晶显示装置,系为针对介由液晶层相互对向而配置,2个透明基板当中,单位像素内,在第1基板的上方,具备开关元件及像素电极及对向电极,将背光组件备于前述第1基板的下方,在该像素电极与对向电极之间,用与该第1基板略平行所使其产生的电界而使其调变透过前述液晶层之光的构成;其特征为:在第2基板与液晶层之间,具备电阻系数高于106cm的树脂组成物之黑色矩阵,进而在与第2基板的液晶层相反侧之面上方,具有透光性的导电层至少被形成在像素形成领域,被配置在前述第2基板上方的偏光板之大小,被形成为比导电性筐体的开口领域还大,前述所对向的透明基板,系为以密封材连接,且前述黑色矩阵的外周围的至少一部分或是全部,被形成在比密封材形成领域还内侧,在前述偏光板与前述透明基板之间被形成有薄层电阻値低于21014/的透明导电膜之层,且导电连接前述透明导电膜之层与筐体。6.一种液晶显示装置,系为针对介由液晶层相互对向而配置,2个透明基板当中,单位像素内,在第1基板上方,具备开关元件及像素电极及对向电极,将背光组件备于前述第1基板的下方,在该像素电极与对向电极之间,用与该第1基板略平行所使其产生的电界,使其调变透过前述液晶层之光的构成;其特征为:在第2基板与液晶层之间,具备电阻系数大于106cm的树脂组成物之黑色矩阵,进而在第2基板的液晶层相反侧之面上方,备有透光性的导电层至少被形成在像素形成领域,被配置在前述第2基板上方的偏光板之大小,被形成为比导电性筐体的开口领域还小,盖覆前述偏光板与筐体开口领域的间隙,被形成有遮光性的空间物,前述所对向的透明基板,系为以密封材连接,且前述黑色矩阵的外周围的至少一部分或是全部,被形成在比密封材形成领域还内侧,在前述偏光板与前述透明基板之间被形成有薄层电阻値低于21014/的透明导电膜之层,且导电连接前述透明导电膜之层与筐体。7.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中将前述偏光板与筐体的重叠宽度形成为高于0.5mm。8.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中将前述偏光板与筐体的重叠宽度形成为高于0.5mm。9.如申请专利范围第1或6项之液晶显示装置,其中前述偏光板的端部,系为比前述透明基板的端都还内侧高于0.5mm。10.如申请专利范围第1或6项之液晶显示装置,其中前述偏光板与筐体介由导电性的材料而以低于1103的电阻値而被连接。11.如申请专利范围第2、4、5或6项之液晶显示装置,其中前述导电膜之层与筐体介由导电性的材料以低于1103的电阻値而被连接。12.如申请专利范围第2或4项之液晶显示装置,其中前述遮光性的空间物为低于薄层电阻値1108/的导电性材料。图式简单说明:第1图系为第1实施例,且是筐体开口领域周边之要部扩大断面图。第2图系为第2实施例,且是筐体开口领域周边之要部扩大断面图。第3图系为第3实施例,且是筐体开口领域周边之要部扩大断面图。第4图系为第4实施例,且是筐体开口领域周边之要部扩大断面图。第5图系为第5实施例,且是筐体开口领域周边之要部扩大断面图。第6图系为第6实施例,且是筐体开口领域周边之要部扩大断面图。第7图系为过去例,且是筐体开口领域周边之要部扩大断面图。第8图系为表示在于过去的横电场方式液晶显示装置所发生的电场之模式断面图。第9图系为表示加入电界方向、研磨方向、偏光板透过轴的关系之图。第10图系为表示本发明主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶显示部的一像素及其周边之要部平面图。第11图系为第10图的4-4切断线之薄膜电晶体元件TFT的断面图。第12图系为第10图的5-5切断线之储存容量Cstg的断面图。第13图系为表示基板SUB1侧的过程A~C之制造过程之薄膜电晶体部与闸极端子部的断面流程图。第14图系为表示基板SUB1侧的过程D~F之制造过程之薄膜电晶体部与闸极端子部的断面流程图。第15图系为表示基板SUB1侧的过程G~H之制造过程之薄膜电晶体部与闸极端子部的断面流程图。第16图系为横电场方式液晶显示元件的影像显示领域之1像素的电极近旁的断面图与基板周边部的断面图之图。第17图系为用以说明显示板的矩阵周边部之构成平面图。第18图系为含有本发明主动矩阵型彩色液晶显示装置之矩阵部及其周边之电路图。第19图系为表示本发明主动矩阵型彩色液晶显示装置的驱动波形之图。第20图系为表示在液晶显示板安装周边的驱动电路之状态的上面图。第21图系为液晶显示模组的分解斜视图。第22图系为第21图的F-F切断线之液晶显示模组的断面图。第23图系为第7实施例,且是液晶显示装置之要部断面图。第24图系为第8实施例,且是液晶显示装置之要部断面图。第25图系为说明安装了本发明液晶显示装置之资讯处理装置的一例之个人电脑外观图。
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