发明名称 以金属闸半导体制程实现的无线射频识别装置
摘要 本创作系揭露一种以金属闸半导体制程实现的无线射频识别装置,其系利用金属闸制程中特有寄生之N型与P型防护圈所形成之充电电容,配合原本P型与N型金氧半电晶体(PMOS/NMOS),除可提供水平表面电流外,更可提供一整流电流用以提供整个电路操作,并再配合识别码保持电路及非同步本地震荡电路之作用,使金属闸制程可进阶应用在射频识别装置之产业上,并达到制作成本低廉及制造时程短之功效者。
申请公布号 TWM268826 申请公布日期 2005.06.21
申请号 TW093208619 申请日期 2004.06.01
申请人 天时电子股份有限公司 发明人 吴哲铭;吴盈锋;李文峰
分类号 H04B7/00 主分类号 H04B7/00
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 1.一种以金属闸半导体制程实现的无线射频识别装置,包括:一谐振电路,系稳定频率并选择无线射频之频率;一充电电容,其系由金属闸制程中之N型与P型掺杂防护圈所形成之寄生接面电容所组成,该充电电容系外接一电源,以便对该充电电容进行充电;一整流电路,连接该谐振电路且并联该充电电容,以配合该谐振电路与该充电电容提供整个装置所需之操作电源;一个以上之识别码保持电路,分别连接一打线焊垫,且每一该行线焊垫内系储存有一识别码,该识别码保持电路系利用初始状态来控制该打线焊垫;一非同步本地震荡电路,其系可产生一本地振荡信号;以及一数位控制逻辑电路,利用该本地震荡信号,并根据该行线焊垫内之识别码来控制一调变器,以藉此产生一射频识别讯号。2.如申请专利范围第1项所述之以金属闸半导体制程实现的无线射频识别装置,更包括一过电压保护电路及一低电压重置电路,其系分别与该充电电容相并联,该过电压保护电路系避免该操作电源过高,而该低电压重置电路系侦测感应该操作电压在低电压时产生重置信号,以免感应电压过低时所造成的误动作。3.如申请专利范围第2项所述之以金属闸半导体制程实现的无线射频识别装置,其中该通电压保护电路与低电压重置电路系由一组电阻器及一二极体连接一放大器所组成,且该二极体之一P型掺杂端系连接至不使得其寄生双极性二极体导通之装置中正电压者。4.如申请专利范围第1项所述之以金属闸半导体制程实现的无线射频识别装置,其中该谐振电路系由一天线及一内部电容器所组成者。5.如申请专利范围第1项所述之以金属闸半导体制程实现的无线射频识别装置,其中配合该非同步本地震荡电路,更可在一射频识别读取器中设置一特别之程式码,以藉此正确读取资料。图式简单说明:第一图为习用射频识别标签之电路方块示意图。第二图为习知射频识别标签使用之P型与N型金氧半电晶体制作所需之光罩示意图。第三图为本创作之无线射频识别装置的电路方块示意图。第四(a)图为本创作所使用之逻辑反相器之电路图。第四(b)图为第四(a)图的金属闸制程布局示意图。第四(c)图为第四(a)图的金属闸制程布局剖视图。第五(a)图为本创作所使用之整流电路的电路图。第五(b)图为第五(a)图的金属闸制程布局剖视图。第六图为一般焊垫之电路示意图。第七图为本创作所使用之焊垫的电路示意图。第八(a)图为本创作所使用之过电压保护电路之电路图。第八(b)图为本创作所使用之过电压保护电路之最佳实施例的电路图。第九(a)图为第八(a)图之电阻与二极体部份以金属闸制程制作之剖视图。第九(b)图为第九(a)图之电阻与二极体部份的等效电路图。第十(a)图为第八(b)图之二极体与电阻部份以金属闸制程制作之剖视图。第十(b)图为第十(a)图之二极体与电阻部份的等效电路图。第十一图为本创作所使用之P型与N型金氧半电晶体制作所需之光罩示意图。
地址 新竹市至善街33巷25号