| 主权项 |
1.一种前处理室,适用于金属化前的表面清洁,包含:一腔室本体,具有一内部腔室空间;一晶圆加热器,于该内部腔室空间内,用以承载一晶圆;以及一射频电源产生器,安装于该腔室本体,提供射频能量于该腔室本体。2.如申请专利范围第1项所述之前处理室,更包含安装于该晶圆加热器的一控制器,以控制该晶圆加热器的温度。3.如申请专利范围第1项所述之前处理室,更包含安装于该晶圆加热器的一射频偏压供应器,以提供射频偏压于该晶圆加热器。4.如申请专利范围第3项所述之前处理室,更包含安装于该晶圆加热器的一控制器,以控制该晶圆加热器的温度。5.一种前处理室,适用于金属化前的表面清洁,包含:一腔室本体,具有一内部腔室空间;一高温静电夹头(chuck),于该内部腔室空间内,用以承载一晶圆;以及一射频电源产生器,安装于该腔室本体,提供射频能量于该腔室本体。6.如申请专利范围第5项所述之前处理室,更包含安装于该高温静电夹头的一控制器,以控制该高温静电夹头的温度。7.如申请专利范围第5项所述之前处理室,更包含安装于该高温静电夹头的一射频偏压供应器,以提供射频偏压于该高温静电夹头。8.如申请专利范围第7项所述之前处理室,更包含安装于该高温静电夹头的一射频偏压供应器,以提供射频偏压于该高温静电夹头。9.一种清洁晶圆的方法,包含:提供一前处理室,具有一晶圆加热装置;将一晶圆置入该前处理室中;将该晶圆加热至一预设的制程温度;以及产生一电浆以清洁该晶圆。10.如申请专利范围第9项所述之清洁晶圆的方法,更包含提供一偏压至该晶圆。11.如申请专利范围第9项所述之清洁晶圆的方法,其中该制程温度至少为150℃。12.如申请专利范围第11项所述之清洁晶圆的方法,更包含提供一偏压至该晶圆。13.如申请专利范围第9项所述之清洁晶圆的方法,更包含将该晶圆加热至约300℃,以在该前处理室内对该晶圆进行除气(degassing)。14.如申请专利范围第13项所述之清洁晶圆的方法,更包含提供一偏压至该晶圆。15.如申请专利范围第9项所述之清洁晶圆的方法,其中该电浆系择自氢气电浆或氨气电浆所组成之族群。16.如申请专利范围第15项所述之清洁晶圆的方法,更包含提供一偏压至该晶圆。17.如申请专利范围第15项所述之清洁晶圆的方法,其中该制程温度至少为150℃。18.如申请专利范围第17项所述之清洁晶圆的方法,更包含提供一偏压至该晶圆。19.如申请专利范围第15项所述之清洁晶圆的方法,更包含将该晶圆加热至约300℃,以在该前处理室内对该晶圆进行除气(degassing)。20.如申请专利范围第19项所述之清洁晶圆的方法,更包含提供一偏压至该晶圆。图式简单说明:第1图为一示意图,系显示一习知用于半导体晶圆前处理的前处理室。第2图为一示意图,系显示本发明的前处理室,其具有一晶圆加热装置。第3图为一流程图,系显示本发明之晶圆制程的一系列的制程步骤。 |
