发明名称 加强散热型封装体之制造方法
摘要 一种加强散热型封装体之制造方法,其包括下列步骤:提供一阵列型载板,其包含复数个载板单元,其中每一载板单元上表面形成复数个支撑块;将复数个半导体晶片分别电性连接至每一载板单元;提供一阵列型散热片,该阵列型散热片系包含复数个散热片单元,且使每一散热片单元系藉由支撑块之支撑以覆盖每一晶片;以一塑料包覆该等半导体晶片及该阵列型散热片,以形成一阵列式封胶体;及对该阵列式封胶体进行一切割程序,以移除支撑块并形成复数个封装单元。值得注意的是,散热片单元于封胶时系藉支撑块与载板单元相连接,使散热片单元能稳固地设置于半导体晶片上,而保持其平整性。
申请公布号 TWI234864 申请公布日期 2005.06.21
申请号 TW093103406 申请日期 2004.02.12
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 杨耀裕
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 刘正格 台北市大同区重庆北路3段88号3楼之1
主权项 1.一种加强散热型封装体之制造方法,包含:提供一阵列型载板,其包含复数个载板单元,该载板单元具有一上表面及一下表面;于每一载板单元上表面形成一支撑块;将复数个半导体晶片分别电性连接至每一载板单元;提供一阵列型散热片,该阵列型散热片系包含复数个散热片单元,且每一散热片单元系分别对应每一载板单元设置并与该等支撑块连接以分别覆盖每一晶片;以一塑料包覆该等半导体晶片及该阵列型散热片,以形成一阵列式封胶体;及对该阵列式封胶体进行一切割程序并移除该等支撑块以形成复数个封装单元。2.如申请专利范围第1项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该阵列型散热片的表面系具有一铬膜。3.如申请专利范围第1项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中每一该等半导体晶片更包含一主动面及一背面,每一该等半导体晶片系以其背面面向与其相对应之每一该等载板单元之上表面设置,且每一该等半导体晶片之主动面系与与其相对应之每一该等载板单元电性连接。4.如申请专利范围第3项所述之加强散热型封装体之制造方法,更包含复数条导电线,其系用以电性连接该等半导体晶片之一之主动面与其相对应之该载板单元。5.如申请专利范围第1项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该等半导体晶片之一系以覆晶接合方式与其相对应之该载板单元之上表面连接。6.如申请专利范围第1项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该阵列型载板系为一阵列型导线架。7.如申请专利范围第6项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该阵列型导线架系包含复数个导线架单元。8.如申请专利范围第7项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该等导线架单元之一系为一无外引脚导线架单元。9.如申请专利范围第1项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中更包含复数个导电元件设置于该等载板单元之一之下表面。10.如申请专利范围第9项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该等导电元件系为一焊球。11.如申请专利范围第4项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该支撑块系定义一高度,以使该等导电线不与该散热片单元相接触。12.如申请专利范围第1项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该等支撑块之一系为一点状胶体。13.如申请专利范围第12项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该等支撑块系环绕该等晶片之一之周边设置。14.如申请专利范围第1项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该等支撑块之一系为一环状胶体。15.如申请专利范围第1项所述之加强散热型封装体之制造方法,其中该支撑块之一系为金属凸块。图式简单说明:图1至图3为一示意图,显示习知薄型球格阵列封装体之制造步骤。图4A、图5至图6为一示意图,显示习知具有散热片单元之薄型球格阵列封装体之制造步骤。图4B为一示意图,显示习知之阵列型散热片结构。图7为一流程图,显示本发明较佳实施例加强散热型封装体之制造方法的流程。图8A、图8B、图8C、图9至图12为一示意图,显示本发明较佳实施例之加强散热型封装体之制造步骤。图13及图14为一示意图,显示本发明另一较佳实施例之加强散热型封装体之制造步骤。图15A为一示意图,显示另一以阵列式导线架为载板且实施依据本发明之封装步骤而形成之加强散热型封装体。图15B为一示意图,显示另一以阵列式导线架为载板且实施依据本发明之封装步骤而形成之加强散热型封装体。
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号