| 主权项 |
1.一种选择性成长之发光二极体结构,包含:一基板,该基板系不具导电性;一氧化层,系沉积于该基板上,经图案制作后,形成复数个不相邻独立区块,该复数个区块具有各自的横向宽度,且该复数个区块相互间具有间隙,该横向宽度可区分为大宽度与小宽度,该大宽度系在30微米以上,该小宽度系在5微米以下,该间隙介于8到12微米间,该氧化层的成份为一二氧化矽化合物;一缓冲层,系以横向成长技术,于该复数个具小宽度之横向宽度而不相邻独立区块之氧化层上沉积形成后,连接成一体,其材料主要为一氮化镓系列Ⅲ-V族化合物;一n型氮化镓层,形成于该缓冲层上;一主动层,形成于该n型氮化镓层上,系以一氮化镓系列Ⅲ-V族化合物为主要成份;一p型氮化镓层,形成于该主动层上;一n型欧姆接触电极,形成于一n型电极形成区上,该n型电极形成区位于该n型氮化镓层上,该n型电极形成区系藉由蚀刻该p型氮化镓层、该主动层及该n型氮化镓层后,使该n型氮化镓层曝露后所得,而一金属钛/铝(Ti/Al)沉积于该n型氮化镓层表面,形成该n型欧姆接触电极;一p型欧姆接触电极,形成于该p型氮化镓层上,其材料为一镍/金铍(Ni/AuBe),该p型欧姆接触电极的厚度介于50至200埃()间;及复数个焊接垫(pads),形成于该p型欧姆接触电极与该n型欧姆接触电极上,该焊接垫系一堆叠层,该堆叠层由5层金属钛/铂/铝/钛/金(Ti/Pt/Al/Ti/Au)叠加形成,该焊接垫的厚度介于3微米到1微米(m)间。2.如申请专利范围第1项所述的选择性成长之发光二极体结构,该横向成长技术系调整一氢气(H2)、一氨气(NH3)及一三甲基镓(Trimethyl Gallium,TMG)的比例。3.如申请专利范围第1项所述的选择性成长之发光二极体结构,该焊接垫的较佳厚度为2微米(m)。4.如申请专利范围第1项所述的选择性成长之发光二极体结构,该p型欧姆接触电极的较佳厚度为100埃()。5.如申请专利范围第1项所述的选择性成长之发光二极体结构,该间隙之较佳値为10微米(m)。6.如申请专利范围第1项所述的选择性成长之发光二极体结构,该n型氮化镓层的材料系一矽掺杂之氮化镓系列Ⅲ-V族化合物。7.如申请专利范围第1项所述的选择性成长之发光二极体结构,该p型氮化镓层的材料系一镁掺杂之氮化镓系列Ⅲ-V族化合物。图式简单说明:第一图系根据本发明实施例,一种选择性成长的发光二极体结构氧化层示意图。第二图系根据本发明实施例,一种选择性成长的发光二极体结构缓冲层、n型氮化镓层、主动层及p型氮化镓层示意图。第三图系根据本发明实施例,一种选择性成长的发光二极体结构蚀刻部份p型氮化镓层、主动层及n型氮化镓层的示意图。第四图系根据本发明实施例,一种选择性成长的发光二极体结构p型欧姆接触电极的示意图。第五图系根据本发明实施例,一种选择性波长的发光二极体结构焊接垫的示意图。第六图系根据本发明实施例,一种选择性成长的发光二极体结构发光效率与习知技艺的比较图。 |
