| 主权项 |
1.一种发光二极体的制造方法,包含:(A)在一基材上磊晶形成一可以光电效应产生光的磊晶层单元,而成一发光二极体半成品;(B)将该发光二极体半成品浸入丙酮中并以超音波震荡作用后取出,再以纯水冲洗后烘乾;(C)将经过步骤(B)之该发光二极体半成品浸入王水清洗后取出,再以纯水冲洗后烘乾;(D)将经过步骤(C)之该发光二极体半成品浸入N-甲基咯酮中清洗后取出,再以纯水冲洗,直到冲洗过该发光二极体半成品后之污水的水阻値不小于12M后,将该发光二极体半成品取出烘乾;及(E)在该发光二极体半成品之磊晶层单元上形成一可导电且可透光的透明导电层、一与该磊晶层单元电连接的第一欧姆电极,及一与该透明导电层电连接的第二欧姆电极。2.依据申请专利范围第1项所述发光二极体的制造方法,其中,该基材是选自于由下列所构成之群组中的物所构成:蓝宝石、碳化矽、氧化锌、玻璃、氮化镓、氮化铝,及此等之组合。3.依据申请专利范围第1或2项所述发光二极体的制造方法,其中,该步骤(A)是先在该基材上磊晶形成一以氮化镓为材料之n型披覆层,再在该n型披覆层上磊晶形成一以氮化铟镓为材料之活性层,再在该活性层上磊晶形成一以氮化镓为材料之p型披覆层,而使该n型披覆层、活性层与p型披覆层共同构成该磊晶层单元。4.依据申请专利范围第1项所述发光二极体的制造方法,其中,该步骤(B)实施时,丙酮之浓度是介于80%以上,温度是保持在20℃~60℃之间,且以超音波震荡至少一分钟。5.依据申请专利范围第1项所述发光二极体的制造方法,其中,该步骤(C)实施时,王水之浓度是介于100%~30%,温度是保持在20℃~60℃之间,且浸入至少一分钟。6.依据申请专利范围第1项所述发光二极体的制造方法,其中,实施该步骤(D)之后至实施该步骤(E)之间隔时间不大于60分钟。7.依据申请专利范围第1项所述发光二极体的制造方法,其中,该步骤(E)是在一离子气氛下镀膜形成该透明导电层。8.依据申请专利范围第7项所述发光二极体的制造方法,其中,该离子气氛是选自于由下列所构成之群组中的物所构成:O2、CF4、SF6、O3,及此等之组合。9.依据申请专利范围第7项所述发光二极体的制造方法,其中,镀膜形成该透明导电层时温度须介于25℃~700℃,压力须介于2x10-6~1.8x10-3 Torr。10.依据申请专利范围第1或7项所述发光二极体的制造方法,其中,该透明导电层是选自于由下列所构成之群组中的物为材料所形成:铟锡氧化物、铟铈氧化物、锌铝氧化物、锌镓氧化物,及此等之组合。11.依据申请专利范围第3项所述发光二极体的制造方法,其中,该第一欧姆电极是与该n型披覆层相电连接。图式简单说明:图1是一示意图,说明一具有透明导电层之发光二极体的结构;图2是一流程图,说明本发明发光二极体的制造方法的一较佳实施例;图3是一实验验证曲线图,说明以本发明与以习知方式所制备完成的发光二极体在工作电压上的差异,以本发明所制备完成的发光二极体确实较以习知方式所制备完成的发光二极体的工作电压为低。 |
