| 主权项 |
1.一种电容器复合电路元件,将电容器、与除上述 电容器外之电路元件予以复合化; 其特征在于: 上述电容器系具有介电质薄膜; 上述介电质薄膜系由c轴配向呈真正垂直于薄膜形 成用基板面的铋层状化合物所构成; 该铋层状化合物系由组成式: (Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-、或Bi2Am-1 BmO3m+3所示,上述组成 式中的符号m系正数,符号A系自Na、K、Pb、Ba、Sr、 Ca及Bi中至少选择1种元素,符号B系自Fe、Co、Cr、Ga 、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo及W中至少选择1种元素。 2.如申请专利范围第1项之电容器复合电路元件,其 中,上述介电质薄膜系配置于电极薄膜之间。 3.如申请专利范围第1项之电容器复合电路元件,其 中,上述铋层状化合物的c轴配向度系80%以上。 4.如申请专利范围第1、2或3项之电容器复合电路 元件,其中,上述介电质薄膜系具有层积构造。 5.如申请专利范围第1、2或3项之电容器复合电路 元件,其中,上述电路要件系电感,上述电路元件系 当作平滑电路使用。 6.一种IC卡,埋藏着申请专利范围第5项之电容器复 合电路元件。 图式简单说明: 第1图系本发明一实施例的电容器复合电路元件之 电路图。 第2图系本发明一实施例的电容器复合电路元件之 概略剖视图。 第3图系本发明一实施例的电容器复合电路元件中 ,供执行电容器单体试验用之样本剖视图。 第4图系本发明实施例的电容器之频率特性图。 第5图系本发明实施例的电容器之电压特性图。 |
