| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含有: 至少一个半导体晶片; 固定元件,系形成于该半导体晶片之表面,用以将 该半导体晶片固定于经变形为略圆筒形状或弯曲 形状之状态者; 封装基板,系覆晶连接该经变形之半导体晶片者; 密封树脂,系将前述半导体晶片密封于该封装基板 上者;及 外部接续端子,系设置于该封装基板者。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述固 定元件为形成于略圆筒形状或弯曲形状之半导体 晶片之内侧面之树脂层。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述半 导体晶片之厚度为50m以下。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其系具有相 互覆晶连接之复数之前述半导体晶片。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中前述复 数之半导体晶片包含有: 略圆筒状之第1半导体晶片;及 第2半导体晶片,系形成直径较第1半导体晶片大之 略圆筒形状,且包围第1半导体晶片之外周地配置 。 6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中前述第 1半导体晶片之端部由前述第2半导体晶片之端部 突出延伸,且前述第1半导体晶片与前述封装基板 覆晶连接。 7.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中前述复 数之半导体晶片包含有: 弯曲形状之第1半导体晶片;及 第2半导体晶片,系形成较第1半导体晶片大之弯曲 形状,且沿着第1半导体晶片之外周配置。 8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中前述第 2半导体晶片之端部由前述第1半导体晶片之端部 延伸,且前述第2半导体晶片与前述封装基板覆晶 连接。 9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其系具有尺 寸不同之形成复数个弯曲形状之前述半导体晶片, 且于较大尺寸之半导体晶片之弯曲形状所形成之 空间中,收容有较该较大尺寸之半导体晶片尺寸小 之半导体晶片。 10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中前述 复数之半导体晶片分别覆晶连接于前述封装基板 。 11.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中前述 复数个半导体晶片中,较该较大尺寸之半导体晶片 尺寸小之半导体晶片对大尺寸之半导体晶片覆晶 连接,而最大尺寸之半导体晶片则覆晶连接于前述 封装基板。 12.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述 半导体晶片包含有: 复数之相积层之平坦半导体晶片;及 变形之半导体晶片,系覆晶连接平坦之半导体晶片 之电路形成面朝上时之最上层位置之半导体晶片 及前述封装基板者。 13.一种半导体装置之制造方法,系具有变形之半导 体晶片之半导体装置之制造方法,包含有以下各步 骤: 支持步骤,系用以支持平坦状态之半导体晶片者; 涂布步骤,系用以涂布液状树脂于平坦状态之半导 体晶片者; 变形步骤,系以该经涂布液状树脂之面为内侧,使 该半导体晶片变形者; 固定步骤,系用以使前述液状之树脂硬化,将该半 导体晶片固定于圆筒形状或弯曲形状者;及 实装步骤,系将前述半导体晶片覆晶实装于封装基 板上者。 14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方 法,其中前述用以涂布液状树脂之涂布步骤系进行 于该半导体晶片变形之后。 图式简单说明: 第1图系经变形成圆筒形状之半导体晶片之透视图 。 第2图系以弯曲状态搭载于基板之半导体晶片之侧 面图。 第3图系本发明第1实施例之半导体装置之截面图 。 第4图系使用于习知之记忆元件之半导体晶片之内 部电路之方块图。 第5图系以圆筒形状之半导体晶片作为记忆元件时 之内部电路之方块图。 第6图系显示形成第5图所示之电路时之半导体晶 片之内部构造之图。 第7图系用以搭载第6图所示之半导体晶片之承载 基板之平面图。 第8图系用以将半导体晶片形成圆筒状之变形用夹 具之立体图。 第9A图、第9B图及第9C图系用以说明第8图所示之变 形用夹具之动作之图。 第10图、第10B图及第10C图系用以将半导体晶片形 成圆筒状之变形用夹具之图。 第11A图~第11E图系用以说明使用第10A图~第10C图之 变形用夹具将半导体晶片变形成圆筒状之动作之 图。 第12图系经组装复数之圆筒状之半导体晶片之半 导体装置之截面图。 第13图系显示经组装复数之圆筒状之半导体晶片 之半导体装置之另一例之截面图。 第14图系显示经组装复数之圆筒状之半导体晶片 之半导体装置之另一例之截面图。 第15图系第14图所示之半导体晶片之截面图。 第16图系显示经形成双重圆筒形状之半导体晶片 之端部之侧面图。 第17图系本发明第2实施例之半导体装置之截面图 。 第18图系用以形成弯曲形状之半导体晶片之变形 用夹具之截面透视图。 第19A图、第19B图及第19C图系用以说明以第18图所 示之变形用夹具将半导体晶片形成弯曲状之步骤 之图。 第20图系用以形成弯曲形状之半导体晶片之另一 变形用夹具之截面图。 第21A图及第21B图系用以说明使用第28图之变形用 夹具将半导体晶片形成弯曲状之步骤之图。 第22图用以说明密封复数之弯曲状之半导体晶片 时之密封树脂之流动之图。 第23图系藉着半导体晶片之弯曲面形成之空间中, 收容有小尺寸之半导体晶片之半导体装置之截面 图。 第24图系于第23图所示之半导体装置设置散热器之 例之截面图。 第25图系藉着半导体晶片之弯曲面形成之空间中, 收容有小尺寸之半导体晶片之半导体装置之另一 例之截面图。 第26图系显示第25图所示第2配线层之平面图。 第27图系于第25图所示之半导体装置设置散热器之 例之截面图。 第28图系显示经搭载复数之半导体晶片之另一半 导体装置之截面图。 第29图显示第28图所示之半导体晶片内之配线之一 例之平面图。 第30A图~第30D图系用以说明将复数半导体晶片同时 变形,以形成半导体装置之步骤之图。 |
