| 主权项 |
1.一种用以于光学网路内监测功率之方法,包含: 在一基体内形成一核心; 在该基体内形成一与该核心光学耦合且具有一第 一与第二壁的沟渠; 在该第一壁上形成一有角度的反射器以反射来自 该核心的光;及 在该沟渠的第二壁加衬反射材质。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,包括形成一具 有一底壁与四侧壁的沟渠,包括供该核心进入该沟 渠的第一侧壁、及二相对侧壁,并在该沟渠的第四 侧壁上形成一反射器。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,包括保留一该 第一侧壁有该核心的区域免加反射材质。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,包括在该沟渠 的该底壁加衬反射材质。 5.如申请专利范围第2项所述之方法,包括以一反射 材质覆盖该相对侧壁。 6.如申请专利范围第2项所述之方法,包括在供该核 心进入该沟渠的该第一侧壁上涂覆反射材质。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,包括形成多个 介面,在每一介面间形成一隔离材质,及形成一耦 合至每一介面的核心。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,包括在该基体 表面设置一功率检测器,以接收被该反射器自该基 体反射之光。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,包括形成一包 括该沟渠的平面光回路。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,包括调适该 沟渠以降低串扰现象。 11.一种光学装置,包含: 一基体; 一位于该基体中的光学核心; 一在该基体中且与该核心光学耦合的沟渠,该沟渠 包括一侧壁及一反射器; 一位于该沟渠上方用以接收被该反射器自该核心 反射出之光的功率检测器;及 该侧壁具有一反射涂覆层。 12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该沟渠 包括有一对相对立、可反射的侧壁。 13.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该沟渠 包括一相对于该反射器的壁,该核心通过该相对的 壁耦合至该沟渠,该相对的壁包括一反射涂覆层。 14.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该沟渠 实质上是完全可反射的。 15.如申请专利范围第11项所述之装置,包括多个分 别耦合至多个核心的沟渠。 16.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该基体 形成一平面光回路。 17.一种光学装置,包含: 一基体; 一在该基体中光学耦合至一核心的凹穴,该凹穴包 括至少二相对侧壁及一有角度的反射器; 一位于该凹穴上方用以接收来自该核心而被该反 射器自该基体反射出之光的功率检测器;及 该相对侧壁具有反射涂覆层。 18.如申请专利范围第17项所述之装置,其该凹穴包 括一相对于该反射器的壁,该核心经该相对的壁耦 合至该凹穴,该相对的壁包括一反射涂覆层。 19.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该凹穴 实质上是完全可反射的。 20.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该基体 形成一平面光回路。 图式简单说明: 第1图是本发明之一实施例省略功率监测器阵列的 一顶视图; 第2图是一概沿第1图2-2线取得之放大横截面图; 第3图是一概沿第1图3-3线取得之放大横截面图;以 及 第4图是一概沿第1图4-4线取得之放大横截面图。 |
