发明名称 形成镶嵌结构以改善化学机械研磨制程并使多层积体电路电容减小的方法
摘要 本发明系提供一种镶嵌结构以改善化学机械研磨制程并使积体电路电容减小的方法,其中包括形成一邻接于主动镶嵌之浅辅助镶嵌结构并以化学机械研磨制程移除该辅助镶嵌结构。
申请公布号 TW200520150 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093118493 申请日期 2004.06.25
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 邱文智;章勋明
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号