自对准埋入带及具有自对准埋入带之垂直记忆单元的形成方法

摘要

本发明提供一种自对准埋入带及具有自对准埋入带之垂直记忆单元的形成方法。首先，提供一具有沟槽之半导体基底，沟槽下半部形成有电容导线，并以一领型介电层与半导体基底隔绝；接着，于沟槽之上半部侧壁形成一间隙壁，以间隙壁为蚀刻罩幕蚀刻一既定深度之电容导线及领型介电层，以形成一空隙来露出部分之半导体基底；然后，对露出之半导体基底进行离子掺杂以形成一离子掺杂区作为埋入带；去除间隙壁后，蚀刻露出表面之领型介电层至低于电容导线之顶部表面以形成一凹槽；于凹槽内填入一导电层及一高度低于离子掺杂区顶部之沟槽顶部绝缘层。