具有改良式写入/抹除特性多层双位元记忆体的制造方法

摘要

揭露一具有改良式写入／抹除功能之双位元记忆体多重结构及其制造方法。此结构包含位于中间介电层或氮化层两侧的一对浮动闸，用来定义两个电子之储存位置，以代表自中间介电层收集的双重资料位元。